Samsung 990 PRO 1 Tt M.2 NVMe -SSD-kovalevy

Tuote-esittely

Saavuta paras suorituskyky PCIe 4.0:n avulla. Koe poikkeukselliset nopeudet. Samalla se säilyttää huippuluokan nopeuden ja suorituskyvyn, jotta voit olla aina huipulla.

Valtavasti lisänopeutta. 40 % ja 55 % nopeampi satunnainen luku- ja kirjoitusnopeus kuin 980 PRO -mallilla – jopa 1400K/1550K IOPS. Jopa 7450/6900 Mt/s:n sekventiaaliset luku- ja kirjoitusnopeudet merkitsevät lähes maksimaalista suorituskykyä PCIe 4.0:llä. Lennä korkealla peleissä, muokkaa videoita ja 3D-kuvia tai suorita data-analyysejä tehokkaasti.

Parempi suorituskyky kuluttaa yleensä enemmän energiaa. 990 PRO kuluttaa kuitenkin vähemmän virtaa ja on yli 50 % tehokkaampi kuin 980 PRO -malli. Tämä vähemmän energiaa kuluttava rakenne mahdollistaa PCIe 4.0:n maksimaalisen suorituskyvyn ja optimaalisen.

Nopeutta ilman lämpenemistä. Nikkelipinnoitettu hallintayksikkö ja uraauurtava lämpöhallinta-algoritmi pitävät lämmön hallinnassa ja takaavat vertaansa vailla olevan suorituskyvyn. Dynamic Thermal Guard pitää lämpötilan optimaalisella tasolla.

Paras pelikokemus. Yli 55 %:n parannus satunnaisessa luku- ja kirjoitussuorituskyvyssä mahdollistaa nopeamman latauksen ja äärimmäisen realistisen pelituntuman PS5- ja DirectStorage PC -peleissä.

Päästä 990 PRO:n täysi teho valloilleen. Samsung Magician sisältää helppokäyttöisiä optimointityökaluja, jotta saat aina parasta mahdollista SSD-suorituskykyä. Sovellus suojaa tietoja, noutaa päivityksiä, valvoo laitteen kuntoa ja säätää LED-väriyhdistelmiä. Oma SSD-työkalupakkisi.

Huom! Louhintatrendin vuoksi tarkistamme huoltoon toimitetut levyt. Jos levyn Terabytes Written -arvo ylittää valmistajan suosituksen emme vaihda levyä uuteen tai huolla sitä.

Ominaisuudet

• Koko (form factor): M.2 (2280)
• Väylä: M.2 PCIe 4.0 x4, NVMe 2.0
• Kapasiteetti: 1 Tt
• Välimuisti: Samsung 1 Gt Low Power DDR4 SDRAM
• Muistityyppi: Samsung V-NAND 3-bit MLC
• Ohjain: Samsung in-house Controller
• Lukunopeus: jopa 7450 Mt/s
• Kirjoitusnopeus: jopa 6900 Mt/s
• Random Read (4 Kt, QD32): Jopa 1 200 000 IOPS

• Random Write (4 Kt, QD32): Jopa 1 550 000 IOPS

• Random Read (4 Kt, QD1): Jopa 22 000 IOPS

• Random Write (4 Kt, QD1): Jopa 80 000 IOPS

• Salaus: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
• TRIM-tuki: Kyllä
• S.M.A.R.T -tuki: kyllä
• Virrankulutus: 5,4 W (keskimääräinen), 7,8 W (maksimi)
• Kirjoituskestävyys: 600 TBW
• Arvioitu käyttöikä: 1 500 000 tuntia